MSDT200-12,MSDT200-12 pdf中文资料,MSDT200-12引脚图,MSDT200-12电路-Datasheet-电子工程世界

MSDT200-12: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, M5, 7 PIN; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小184KB，共5页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MSDT200-12概述

Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, M5, 7 PIN

	MSDT200-12	MSDT200-08
描述	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, M5, 7 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 314A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, M5, 7 PIN
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数	7	7
Reach Compliance Code	compliant	compliant
其他特性	UL RECOGNIZED	UL RECOGNIZED
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流	150 mA	150 mA
JESD-30 代码	R-XUFM-X7	R-XUFM-X7
元件数量	1	1
端子数量	7	7
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
最大均方根通态电流	314 A	314 A
断态重复峰值电压	1200 V	800 V
重复峰值反向电压	1200 V	800 V
表面贴装	NO	NO
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER
触发设备类型	SCR	SCR
Base Number Matches	1	1

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W