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K6R4016V1C-JP12T

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44
产品类别存储    存储   
文件大小189KB,共11页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6R4016V1C-JP12T概述

Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44

K6R4016V1C-JP12T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SOJ, SOJ44,.44
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J44
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ44,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0007 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.165 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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