HYB18T2G802BF-3S,HYB18T2G802BF-3S pdf中文资料,HYB18T2G802BF-3S引脚图,HYB18T2G802BF-3S电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB18T2G802BF-3S: 产品描述DDR DRAM, 256MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共55页; 制造商QIMONDA; 标准

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HYB18T2G802BF-3S概述

DDR DRAM, 256MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71

HYB18T2G802BF-3S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA71,9X19,32
针数	71
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B71
长度	17 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	71
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	256MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA71,9X19,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.3 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.024 A
最大压摆率	0.295 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	10 mm
Base Number Matches	1

HYB18T2G802BF-3S相似产品对比

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描述	DDR DRAM, 256MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71	DDR DRAM, 512MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71	DDR DRAM, 512MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71	DDR DRAM, 512MX4, 0.9ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71	DDR DRAM, 256MX8, 0.9ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71	DDR DRAM, 512MX4, 0.8ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71	DDR DRAM, 256MX8, 0.8ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71	DDR DRAM, 256MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA71, GREEN, PLASTIC, TFBGA-71
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32	LFBGA, BGA71,9X19,32
针数	71	71	71	71	71	71	71	71
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.7 ns	0.75 ns	0.9 ns	0.9 ns	0.8 ns	0.8 ns	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	400 MHz	333 MHz	200 MHz	200 MHz	266 MHz	266 MHz	400 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71	R-PBGA-B71
长度	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	4	4	4	8	4	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	71	71	71	71	71	71	71	71
字数	268435456 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words	268435456 words	536870912 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	256000000	512000000	512000000	512000000	256000000	512000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C
组织	256MX8	512MX4	512MX4	512MX4	256MX8	512MX4	256MX8	256MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32	BGA71,9X19,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm	1.3 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A
最大压摆率	0.295 mA	0.34 mA	0.295 mA	0.265 mA	0.265 mA	0.28 mA	0.28 mA	0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm	10 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-

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