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ECH8660

产品描述N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小364KB,共6页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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ECH8660概述

N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications

ECH8660规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F8
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

ECH8660相似产品对比

ECH8660 ENA1358
描述 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications

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