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ECH8308

产品描述P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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ECH8308概述

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ECH8308规格参数

参数名称属性值
厂商名称SANYO
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)10 A
最大漏极电流 (ID)10 A
最大漏源导通电阻0.0125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

ECH8308相似产品对比

ECH8308 ENA1182
描述 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
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