NS41256S20E/883,NS41256S20E/883 pdf中文资料,NS41256S20E/883引脚图,NS41256S20E/883电路-Datasheet-电子工程世界

NS41256S20E/883: 产品描述32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小41KB，共18页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数

NS41256S20E/883概述

32KX8 STANDARD SRAM, 20ns, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

参数名称	属性值
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
Base Number Matches	1

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