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RT1N137P

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小129KB,共1页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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RT1N137P概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-62, 3 PIN

RT1N137P规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SC-62
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1
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