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HB56U832SB-6NL

产品描述EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIP-72
产品类别存储    存储   
文件大小310KB,共25页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56U832SB-6NL概述

EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIP-72

HB56U832SB-6NL规格参数

参数名称属性值
零件包装代码MODULE
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0024 A
最大压摆率0.76 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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HB56U832 Series, HB56U432 Series
8,388,608-word
×
32-bit High Density Dynamic RAM Module
4,194,304-word
×
32-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-736A (Z)
Rev.1.0
Feb. 7, 1997
Description
The HB56U832 is a 8M
×
32 dynamic RAM module, mounted 16 pieces of 16-Mbit DRAM (HM5117405)
sealed in SOJ package. The HB56U432 is a 4M
×
32 dynamic RAM module, mounted 8 pieces of 16-Mbit
DRAM (HM5117405) sealed in SOJ package. The HB56U832, HB56U432 offer Extended Data Out
(EDO) Page Mode as a high speed access time. An outline of the HB56U832, HB56U432 is 72-pin single
in-line package. Therefore, the HB56U832, HB56U432 make high density mounting possible without
surface mount technology. The HB56U832, HB56U432 provide common data inputs and outputs.
Decoupling capacitors are mounted on the module board.
Features
72-pin single in-line package
Outline: 107.95 mm (Length)
×
25.40 mm (Height)
×
9.14/5.28 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 50/60/70 ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 4.41/3.99/3.57W (max) (HB56U832 Series)
4.20/3.78/3.36 W (max) (HB56U432 Series)
Standby mode (TTL): 168 mW (max) (HB56U832 Series)
(TTL): 84 mW (max) (HB56U432 Series)
(CMOS): 12.6 mW (max) (L-version) (HB56U832 Series)
(CMOS): 6.3 mW (max) (L-version) (HB56U432 Series)
EDO page mode capability
Refresh period
2048 refresh cycles: 32 ms
128 ms (L-version)

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