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RN2708JE(TPL3,F)

产品描述PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小334KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2708JE(TPL3,F)概述

PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR

RN2708JE(TPL3,F)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

RN2708JE(TPL3,F)相似产品对比

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描述 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR RN2708JE(TE85L) RN2709JE(TE85L) PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
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