Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.047 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 72 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 72 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 100 ns |
| 最大开启时间（吨） | 60 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| RF1S25N06 | RFP25N06 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 25 A | 25 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 25 A | 25 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.047 Ω | 0.047 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 72 W | 72 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 72 W | 75 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 100 ns | 100 ns |
| 最大开启时间（吨） | 60 ns | 60 ns |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
