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RN1209(TPE4)

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1209(TPE4)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1209(TPE4)规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

RN1209(TPE4)相似产品对比

RN1209(TPE4) RN1208(TPE4)
描述 TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.136
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70 80
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V
Base Number Matches 1 1
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