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HB56U264EJN-6B

产品描述EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小27KB,共2页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56U264EJN-6B概述

EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168

HB56U264EJN-6B规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度134217728 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
组织2MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HB56U264EJN-6B相似产品对比

HB56U264EJN-6B HB56U264EJN-8B
描述 EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 2MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168
零件包装代码 DIMM DIMM
针数 168 168
Reach Compliance Code unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 134217728 bit 134217728 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 168 168
字数 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
组织 2MX64 2MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL

 
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