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KV1700S

产品描述Variable Capacitance Diode, 74.39pF C(T), 14V, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小169KB,共1页
制造商TOKO, INC.
官网地址https://www.murata.com/
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KV1700S概述

Variable Capacitance Diode, 74.39pF C(T), 14V, Silicon, SOT-23, 3 PIN

KV1700S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压14 V
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差7.44%
最小二极管电容比2.7
标称二极管电容74.39 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

KV1700S相似产品对比

KV1700S KV1700R KV1700STL-G
描述 Variable Capacitance Diode, 74.39pF C(T), 14V, Silicon, SOT-23, 3 PIN Variable Capacitance Diode, 74.39pF C(T), 14V, Silicon, SOT-23C, 3 PIN Varactor,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
最小击穿电压 14 V 14 V -
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS -
二极管电容容差 7.44% 7.44% -
最小二极管电容比 2.7 2.7 -
标称二极管电容 74.39 pF 74.39 pF -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
元件数量 2 2 -
端子数量 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
最大功率耗散 0.1 W 0.1 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
Base Number Matches 1 1 -

 
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