Small Signal MOS FET (Single)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
Reach Compliance Code | unknown |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.25 A |
最大漏源导通电阻 | 2.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XBCC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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