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SSM3J35CTC

产品描述Small Signal MOS FET (Single)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小198KB,共8页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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SSM3J35CTC概述

Small Signal MOS FET (Single)

SSM3J35CTC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.25 A
最大漏源导通电阻2.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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