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MWT-H473GN

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB,共4页
制造商Microwave_Technology_Inc.
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MWT-H473GN概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET

MWT-H473GN规格参数

参数名称属性值
包装说明MICROWAVE, X-CXMW-F4
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压5 V
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带K BAND
JESD-30 代码X-CXMW-F4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROWAVE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

MWT-H473GN相似产品对比

MWT-H473GN MWT-H4SN MWT-H473LN MWT-H470GN MWT-H470LN MWT-H4GN
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-4
包装说明 MICROWAVE, X-CXMW-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4 MICROWAVE, X-CXMW-F4 MICROWAVE, S-CQMW-F4 MICROWAVE, S-CQMW-F4 UNCASED CHIP, R-XUUC-N4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
FET 技术 HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带 K BAND K BAND K BAND K BAND K BAND K BAND
JESD-30 代码 X-CXMW-F4 R-XUUC-N4 X-CXMW-F4 S-CQMW-F4 S-CQMW-F4 R-XUUC-N4
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED RECTANGULAR UNSPECIFIED SQUARE SQUARE RECTANGULAR
封装形式 MICROWAVE UNCASED CHIP MICROWAVE MICROWAVE MICROWAVE UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT NO LEAD FLAT FLAT FLAT NO LEAD
端子位置 UNSPECIFIED UPPER UNSPECIFIED QUAD QUAD UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
外壳连接 SOURCE - SOURCE SOURCE SOURCE -
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