NTB13N10G,NTB13N10G pdf中文资料,NTB13N10G引脚图,NTB13N10G电路-Datasheet-电子工程世界

NTB13N10G: 产品描述13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小731KB，共9页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/; 标准

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NTB13N10G概述

13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

NTB13N10G规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
针数	3
制造商包装代码	CASE 418B-04
Reach Compliance Code	unknown
雪崩能效等级（Eas）	85 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	13 A
最大漏源导通电阻	0.165 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	39 A
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

NTB13N10G相似产品对比

	NTB13N10G	NTB13N10T4G	NTB13N10T4	NTB13N10
描述	13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3	13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3	13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3	13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合
包装说明	LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3	LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3	CASE 418B-04, D2PAK-3	CASE 418B-04, D2PAK-3
针数	3	3	3	3
制造商包装代码	CASE 418B-04	CASE 418B-04	CASE 418B-04	CASE 418B-04
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknown
雪崩能效等级（Eas）	85 mJ	85 mJ	85 mJ	85 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	13 A	13 A	13 A	13 A
最大漏源导通电阻	0.165 Ω	0.165 Ω	0.165 Ω	0.165 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3	e0	e0
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	235	235
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	39 A	39 A	39 A	39 A
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	MATTE TIN	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
湿度敏感等级	1	-	1	1
Base Number Matches	1	1	1	-
厂商名称	-	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics

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