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ER3E-AU_R1_100A1

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小299KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER3E-AU_R1_100A1概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 PIN

ER3E-AU_R1_100A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMC, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101; TS 16949
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

ER3E-AU_R1_100A1文档预览

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ER3A-AU~ER3J-AU
SURFACE MOUNT RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications
0.128(3.25)
0.108(2.75)
0.245(6.22)
0.220(5.59)
0.280(7.11)
0.260(6.60)
0.012(0.305)
0.006(0.152)
0.103(2.62)
0.079(2.00)
0.050(1.27)
0.030(0.76)
0.320(8.13)
0.305(7.75)
0.008(0.203)
0.002(0.051)
50 to 600 Volts
CURRENT
3 Amperes
• High temperature metallurgically bonded-no compression
contacts as found in other diode-constructed rectifiers
• Glass passivated junction
• Easy pick and place
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Acqire quality system certificate : TS16949
• AEC-Q101 qualified
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Indicated by cathode band
• Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
• Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum R e current P e ak R e ve rs e Vo lta ge
Ma xi mum R MS Vo ltag e
Ma xi mum D C B lo ck i ng Vo lta ge
Ma xi mum A ve rag e F orward C urrent a t T
L
=7 5
O
C
P e ak F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3ms s i ng le ha lf s i ne -wave
supe ri mp os ed on ra te d loa d ( JE D E C metho d)
Ma xi mum F o rward Voltag e at 3 A
Ma xi mum D C Reve rse C urrent a t Ra ted D C B loc ki ng
Vo lta ge
Ma xi mum R e vers e R e co ve ry Ti me ( No te s 1 )
Typi ca l J uncti o n C a p a ci tance (No te s 2 )
Typi ca l The rmal Res i stanc e (No te s 3 )
Op erati ng a nd S torag e Temp era ture Ra nge
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 00
O
C
S YMB OL E R3A -A U E R3 B -A U E R3 C -A U E R3D -A U E R3 E -A U E R3 G-A U E R3 J-A U UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
FS M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJL
T
J
,T
S TG
0 .95
1
2 00
35
45
16
-55 to + 1 50
50
35
50
10 0
70
10 0
15 0
10 5
15 0
2 00
14 0
2 00
3
10 0
1.25
1 .7
30 0
21 0
30 0
4 00
28 0
4 00
6 00
42 0
6 00
V
V
V
A
A
V
μA
ns
pF
O
C /
W
C
O
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
October 23,2012-REV.06
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