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MJE702T

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小72KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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MJE702T概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

MJE702T规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1 MHz
Base Number Matches1

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Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

MJE702T相似产品对比

MJE702T MJE800T MJE701T
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN TO-220, 3 PIN
针数 3 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A
集电极-发射极最大电压 80 V 60 V 60 V
配置 DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE) 750 750 750
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP NPN PNP
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W 50 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1 MHz 1 MHz 1 MHz
Base Number Matches 1 1 -
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