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CT30SM-12

产品描述MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR GENERAL INVERTER - UPS USE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小60KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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CT30SM-12概述

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR GENERAL INVERTER - UPS USE

CT30SM-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数2
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值7.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)385 ns
标称接通时间 (ton)165 ns
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