IRFM9140UPBF,IRFM9140UPBF pdf中文资料,IRFM9140UPBF引脚图,IRFM9140UPBF电路-Datasheet-电子工程世界

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IRFM9140UPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小973KB，共7页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRFM9140UPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

IRFM9140UPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	18 A
最大漏源导通电阻	0.22 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	150 ns
最大开启时间（吨）	120 ns
Base Number Matches	1

IRFM9140UPBF相似产品对比

	IRFM9140UPBF	IRFM9140PBF	IRFM9140DPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	18 A	18 A	18 A
最大漏源导通电阻	0.22 Ω	0.22 Ω	0.22 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
功耗环境最大值	125 W	125 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	72 A	72 A	72 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	150 ns	150 ns	150 ns
最大开启时间（吨）	120 ns	120 ns	120 ns
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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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