|
BB502C |
BB502CBS-TL-E |
描述 |
Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier |
Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier |
是否无铅 |
不含铅 |
不含铅 |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
厂商名称 |
Renesas(瑞萨电子) |
Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 |
SC-82 |
SC-82 |
包装说明 |
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数 |
4 |
4 |
Reach Compliance Code |
compli |
unknow |
ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
其他特性 |
LOW NOISE |
LOW NOISE |
配置 |
SINGLE |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 |
6 V |
6 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) |
0.02 A |
0.02 A |
最大漏极电流 (ID) |
0.02 A |
0.02 A |
FET 技术 |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) |
0.05 pF |
0.05 pF |
最高频带 |
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 |
R-PDSO-G4 |
R-PDSO-G4 |
湿度敏感等级 |
1 |
1 |
元件数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
4 |
4 |
工作模式 |
ENHANCEMENT MODE |
DUAL GATE, DEPLETION MODE |
最高工作温度 |
150 °C |
150 °C |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
SMALL OUTLINE |
SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) |
260 |
260 |
极性/信道类型 |
N-CHANNEL |
N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) |
0.1 W |
0.1 W |
最小功率增益 (Gp) |
17 dB |
17 dB |
认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
表面贴装 |
YES |
YES |
端子形式 |
GULL WING |
GULL WING |
端子位置 |
DUAL |
DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT SPECIFIED |
20 |
晶体管应用 |
AMPLIFIER |
AMPLIFIER |
晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |