BB305CEW-TL-E,BB305CEW-TL-E pdf中文资料,BB305CEW-TL-E引脚图,BB305CEW-TL-E电路-Datasheet-电子工程世界

BB305CEW-TL-E: 产品描述Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小205KB，共10页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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BB305CEW-TL-E概述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SC-82
包装说明	LEAD FREE, MINIMOLD, SC-82A, SOT-343MOD, CMPAK-4
针数	4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	12 V
最大漏极电流 (ID)	0.025 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.04 pF
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	24 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

	BB305CEW-TL-E	BB305C
描述	Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier	Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF RF Amplifier
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SC-82	SC-82
包装说明	LEAD FREE, MINIMOLD, SC-82A, SOT-343MOD, CMPAK-4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数	4	4
Reach Compliance Code	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	12 V	12 V
最大漏极电流 (ID)	0.025 A	0.025 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	0.04 pF	0.04 pF
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
元件数量	1	1
端子数量	4	4
工作模式	DUAL GATE, DEPLETION MODE	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	24 dB	24 dB
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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