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HSM88ASR

产品描述SILICON, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小60KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSM88ASR概述

SILICON, MIXER DIODE

HSM88ASR规格参数

参数名称属性值
包装说明MPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容0.85 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.015 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HSM88ASR
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer
REJ03G0136-0500Z
(Previous: ADE-208-047D)
Rev.5.00
Nov.06.2003
Features
Proof against high voltage.
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSM88ASR
Laser Mark
C3
Package Code
MPAK
Pin Arrangement
3
1. Anode 1
2. Cathode 2
3. Cathode 1
Anode 2
2
1
(Top View)
Rev.5.00, Nov.06.2003, page 1 of 4
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