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HSM276S

产品描述SILICON, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小144KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSM276S概述

SILICON, MIXER DIODE

HSM276S规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SC-59A
包装说明SC-59A, MPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容0.9 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HSM276S
Silicon Schottky Barrier Diode for Balanced Mixer
REJ03G0610-0700
(Previous: ADE-208-039F)
Rev.7.00
Apr 26, 2005
Features
High forward current, Low capacitance.
HSM276S which is interconnected in series configuration is designed for balanced mixer use.
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSM276S
Laser Mark
C2
Package Name
MPAK
Package Code
(Previous Code)
PLSP0003ZC-A
(MPAK)
Pin Arrangement
3
2
(Top View)
1
1. Anode 1
2. Cathode 2
3. Cathode 1
Anode 2
Rev.7.00 Apr 26, 2005 page 1 of 4
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