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HSM226S

产品描述0.05 A, 25 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSM226S概述

0.05 A, 25 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

HSM226S规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明MPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.33 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.2 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.05 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压25 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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HSM226S
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
REJ03G0057-0200
Rev.2.00
Sep 15, 2006
Features
Low reverse current, Low capacitance.
MPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSM226S
Laser Mark
S22
Package Name
MPAK
Package Code
PLSP0003ZC-A
Pin Arrangement
3
1. Cathode 2
2. Anode 1
3. Cathode 1
Anode 2
2
1
(Top View)
Rev.2.00 Sep 15, 2006 page 1 of 4

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HSM226S HSM226S_06
描述 0.05 A, 25 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.05 A, 25 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

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