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HSM198S

产品描述SILICON, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小136KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSM198S概述

SILICON, MIXER DIODE

HSM198S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SC-59A
包装说明SC-59A, MPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容1.5 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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HSM198S
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector
REJ03G0607-0400
(Previous: ADE-208-090C)
Rev.4.00
Apr 25, 2005
Features
Detection efficiency is very good.
Small temperature coefficient.
HSM198S which is interconnected in series configuration is designed for balanced mixer use.
MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSM198S
Laser Mark
C6
Package Name
MPAK
Package Code
(Previous Code)
PLSP0003ZC-A
(MPAK)
Pin Arrangement
3
2
1
(Top View)
1. Cathode 2
2. Anode 1
3. Cathode 1
Anode 2
Rev.4.00 Apr 25, 2005 page 1 of 4

 
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