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HSC276

产品描述SILICON, MIXER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSC276概述

SILICON, MIXER DIODE

HSC276规格参数

参数名称属性值
包装说明UFP, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大二极管电容0.85 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HSC276
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer
REJ03G0134-0200Z
(Previous: ADE-208-421A)
Rev.2.00
Nov.10.2003
Features
High forward current, Low capacitance.
Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design.
Ordering Information
Type No.
HSC276
Laser Mark
C2
Package Code
UFP
Pin Arrangement
Cathode mark
Mark
1
C2
2
1. Cathode
2. Anode
Rev.2.00, Nov.10.2003, page 1 of 4

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