Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | SC-83 |
| 包装说明 | SC-83, LDPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 45 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 60 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 180 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| H7N0311LSTL-E | H7N0311LD | H7N0311LD-E | H7N0311LMTL-E | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 包装说明 | SC-83, LDPAK-3 | LDPAK-3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | LDPAK-3 |
| 针数 | 3 | 3 | 4 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | unknow | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Is Samacsys | N | N | N | N |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 45 A | 45 A | 45 A | 45 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω | 0.016 Ω | 0.016 Ω | 0.016 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 180 A | 180 A | 180 A | 180 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 45 A | - | 45 A | 45 A |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 (Abs) | 60 W | - | 60 W | 60 W |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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