LH2310/D放大器基础信息:
LH2310/D是一款BUFFER。常用的包装方式为, DIE OR CHIP
LH2310/D放大器核心信息:
LH2310/D的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.003 µA
厂商给出的LH2310/D的最大压摆率为11 mA.而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LH2310/D增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为20 MHz。
LH2310/D的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。LH2310/D的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LH2310/D的相关尺寸:
LH2310/D放大器其他信息:
其温度等级为:COMMERCIAL。
LH2310/D放大器基础信息:
LH2310/D是一款BUFFER。常用的包装方式为, DIE OR CHIP
LH2310/D放大器核心信息:
LH2310/D的最低工作温度是,最高工作温度是70 °C。25℃下的最大偏置电流为:0.003 µA
厂商给出的LH2310/D的最大压摆率为11 mA.而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,LH2310/D增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为20 MHz。
LH2310/D的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。而其供电电源的范围为:+-15 V。LH2310/D的输入失调电压为6000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
LH2310/D的相关尺寸:
LH2310/D放大器其他信息:
其温度等级为:COMMERCIAL。
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | , DIE OR CHIP |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 标称带宽 (3dB) | 20 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.003 µA |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装等效代码 | DIE OR CHIP |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大压摆率 | 11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 技术 | HYBRID |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| Base Number Matches | 1 |
| LH2310/D | LH2110D | LH2110D/C | LH2110D/883C | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Buffer Amplifier, 2 Func, Hybrid | Buffer Amplifier, 2 Func, Hybrid, CDIP16 | Buffer Amplifier, 2 Func, Hybrid, CDIP16 | Buffer Amplifier, 2 Func, Hybrid, CDIP16 |
| 包装说明 | , DIE OR CHIP | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER | BUFFER | BUFFER |
| 标称带宽 (3dB) | 20 MHz | 20 MHz | 20 MHz | 20 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.003 µA | 0.003 µA | 0.003 µA | 0.003 µA |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV | 6000 µV | 6000 µV | 6000 µV |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | - | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装等效代码 | DIE OR CHIP | DIP16,.3 | DIP16,.3 | DIP16,.3 |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大压摆率 | 11 mA | 11 mA | 11 mA | 11 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 技术 | HYBRID | HYBRID | HYBRID | HYBRID |
| 温度等级 | COMMERCIAL | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | - | General Electric Solid State | General Electric Solid State | General Electric Solid State |
| JESD-30 代码 | - | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | - | e0 | e0 | e0 |
| 端子数量 | - | 16 | 16 | 16 |
| 封装主体材料 | - | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | - | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 表面贴装 | - | NO | NO | NO |
| 端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | - | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | - | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL | DUAL |
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