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HVD369B

产品描述4.9 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小142KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HVD369B概述

4.9 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

HVD369B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SFP, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管电容容差5.1%
最小二极管电容比2.3
标称二极管电容4.9 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HVD369B相似产品对比

HVD369B HVD369B_06
描述 4.9 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE 4.9 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

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