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CY25CAJ-8F-T13

产品描述Nch IGBT for Strobe Flash
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小51KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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CY25CAJ-8F-T13概述

Nch IGBT for Strobe Flash

CY25CAJ-8F-T13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SON
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值1.5 V
门极-发射极最大电压6 V
JESD-30 代码R-PDSO-F8
元件数量1
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

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CY25CAJ-8F
Nch IGBT for Strobe Flash
REJ03G1202-0200
Preliminary
Rev.2.00
May 24, 2005
Features
Ultra small surface mount package (VSON-8)
V
CES
: 400 V
I
CM
: 150 A
Drive voltage: 4 V
Outline
PVSN0008JA-A
(Package Name: VSON-8<TNP-8DBV>)
5
8
4
1
1
2
3
4
8
7
6
5
1, 2 : Emitter
3 : Emitter
(for the gate drive)
4 : Gate
5, 6, 7, 8 : Collector
Note:
PIN 3 is for the Gate drive only.
Note that current from the main circuit cannot flow into this section. (Please see page 3)
Applications
Strobe flash for cameras
Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Peak gate-emitter voltage
Collector current (Pulse)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CES
V
GES
V
GEM
I
CM
Tj
Tstg
Ratings
400
±6
±8
150
– 40 to +150
– 40 to +150
Unit
V
V
V
A
°C
°C
Conditions
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V
V
CE
= 0 V, tw = 10 s
C
M
= 400
µF
(see performance curve)
Rev.2.00,
May 25, 2005,
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CY25CAJ-8F-T13相似产品对比

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描述 Nch IGBT for Strobe Flash Nch IGBT for Strobe Flash

 
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