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2SH27

产品描述Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小165KB,共10页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SH27概述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

2SH27规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220AB
包装说明SC-46, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)710 ns
标称接通时间 (ton)370 ns
Base Number Matches1

 
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