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2SD2124S

产品描述Silicon NPN Epitaxial
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小142KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SD2124S概述

Silicon NPN Epitaxial

2SD2124S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)2000
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)18 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)2000 ns
最大开启时间(吨)500 ns
Base Number Matches1

2SD2124S相似产品对比

2SD2124S 2SD2124L 2SD2124
描述 Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial Silicon NPN Epitaxial
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
包装说明 DPAK-3 DPAK-3 -
针数 3 3 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR -
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A -
集电极-发射极最大电压 120 V 120 V -
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 2000 2000 -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 -
元件数量 1 1 -
端子数量 2 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE -
极性/信道类型 NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 18 W 18 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES NO -
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE -
端子位置 SINGLE SINGLE -
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
最大关闭时间(toff) 2000 ns 2000 ns -
最大开启时间(吨) 500 ns 500 ns -
Base Number Matches 1 1 -

 
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