Silicon NPN Epitaxial
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | DPAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 1.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 120 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 2000 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 18 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 2000 ns |
最大开启时间(吨) | 500 ns |
Base Number Matches | 1 |
2SD2124S | 2SD2124L | 2SD2124 | |
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描述 | Silicon NPN Epitaxial | Silicon NPN Epitaxial | Silicon NPN Epitaxial |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - |
包装说明 | DPAK-3 | DPAK-3 | - |
针数 | 3 | 3 | - |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | - |
最大集电极电流 (IC) | 1.5 A | 1.5 A | - |
集电极-发射极最大电压 | 120 V | 120 V | - |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | - |
最小直流电流增益 (hFE) | 2000 | 2000 | - |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 2 | 3 | - |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | - |
极性/信道类型 | NPN | NPN | - |
最大功率耗散 (Abs) | 18 W | 18 W | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | YES | NO | - |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
最大关闭时间(toff) | 2000 ns | 2000 ns | - |
最大开启时间(吨) | 500 ns | 500 ns | - |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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