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MMBT9015B

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共3页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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MMBT9015B概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

MMBT9015B规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)190 MHz
Base Number Matches1

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UTC MMBT9015
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL &
LOW NOISE
FEATURES
*High total power dissipation. (450mW)
*Excellent hFE linearity.
*Complementary to UTC MMBT9014
2
1
MARKING
3
15
SOT-23
1: EMITTER
2: BASE
3: COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Ic
Pc
T
j
T
STG
RATING
-50
-45
-5
-100
225
150
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter on voltage
Output Capacitance
Current gain-Bandwidth Porduct
Noise Figure
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
hFE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
BE
(on)
Cob
fT
NF
TEST CONDITIONS
Ic=-100µA, I
E
=0
Ic=-1mA, I
B
=0
I
E
=-100µA, Ic=0
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-5V, Ic=-1mA
Ic=-100mA, I
B
=-5mA
Ic=-100mA, I
B
=-5mA
V
CE
=-5V, Ic=-2mA
V
CB
=-10V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=-5V, Ic=-10mA
V
CE
=-5V, Ic=-0.2mA
f=1KHz, Rs=1KΩ
MIN
-50
-45
-5
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
nA
nA
V
V
V
pF
MHz
dB
60
-0.6
100
200
-0.2
-0.82
-0.65
4.5
190
0.7
-50
-100
600
-0.7
-1.0
-0.75
7.0
10
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R206-023,A

MMBT9015B相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 60 200
JESD-30 代码 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3 R-PDSO-F3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W 0.225 W
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 190 MHz 190 MHz 190 MHz
厂商名称 - UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD

 
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