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MBR5200_AY_00001

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小248KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR5200_AY_00001概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

MBR5200_AY_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散2.5 W
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MBR540 SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Epitaxial Construction
• Guard Ring Die Construction for Transient Protection
• Low Power Loss, High Efficiency
• High Surge Capability
• High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
• Surge Overload Rating to 150A Peak
and Polarity Protection Applications
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
0.052(1.3)
0.048(1.2)
40 to 200 Volt
CURRENT
5 Ampere
• For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling,
MECHANICAL DATA
• Case: DO-201AD Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode
• Weight: 0.0402 ounces, 1.142 grams
1.0(25.4)MIN.
0.210(5.3)
0.188(4.8)
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PARA M ET ER
M a ximum Re cur r e nt Peak Re ve r s e Vo lt age
M a ximum RM S Vo lt age
M a ximum DC Bloc king Vo lt age
Ave r a g e Re c t i f ie d O ut p ut Cur r e nt ( Se e F ig ur e 1 )
No n- Re p e t it ive P e a k Fo r w a r d Sur g e Cur r e nt : 8 . 3 ms s ing le
ha lf sine - w ave super impos ed on r a t e d load
Po w e r Diss ipat io n
F o r w a r d Vo lt a g e a t 5 A ( No t e s 3 )
T
J
= 2 5
O
C
M a ximum DC Re ve r se Cur r e nt a t Ra t e d DC
Blo c k ing Vo lt a g e ( No t e s 4 )
T
J
= 1 0 0
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
Typical Ther ma l Re s is t ance ( Not es 2)
( Not es 1)
( Not es 1)
Typical Junc t ion Capa cit a nc e ( V
R
= 4 V, f = 1 M Hz)
O per at ing Junc t ion a nd St o r a g e Te mp e r a t ur e Ra ng e
NOTES :
SY M BO L
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F( AV)
I
FSM
P
D
V
F
M BR54 0
M BR54 5 M BR55 0 M BR560 M BR580 M BR590 M BR5 100 M BR5 150 M BR5200
UNI T S
V
V
V
A
A
W
40
28
40
45
31. 5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
5
150
2.5
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0. 7
0. 74
0.05
0.8
0.9
V
mA
I
R
10
-
5
50
15
12
1
O
mA
mA
C / W
pF
O
-
R
θJA
R
θJ
L
R
θJC
C
J
T
J
, T
STG
- 55 t o + 1 50
250
-65 to +150
150
C
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Minimum Pad Area
3. Pulse test : 300μs pulse width, 1% duty cycle
4.Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
September 30,2016-REV.04
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