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HSB83

产品描述0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小39KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSB83概述

0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

HSB83规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明CMPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HSB83
Silicon Epitaxial Planar Diode for High Voltage Switching
REJ03G0187-0200Z
(Previous: ADE-208-489A)
Rev.2.00
Mar.22.2004
Features
High reverse voltage. (V
R
= 250 V)
CMPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSB83
Laser Mark
F7
Package Code
CMPAK
Pin Arrangement
3
2
1
(Top View)
1. NC
2. Anode
3. Cathode
Rev.2.00, Mar.22.2004, page 1 of 4

 
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