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HSB276AYP

产品描述0.03 A, 5 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小143KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSB276AYP概述

0.03 A, 5 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

HSB276AYP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SC-82
包装说明SC-82, CMPAK-4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量2
端子数量4
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
最大反向电流50 µA
反向测试电压0.5 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HSB276AYP
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching
REJ03G0595-0100
(Previous: ADE-208-1051)
Rev.1.00
Apr 06,2005
Features
High forward current, Low capacitance.
CMPAK-4 Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSB276AYP
Laser Mark
E9
Package Name
CMPAK-4
Package Code
(Previous Code)
PTSP0004ZB-A
(CMPAK-4)
Pin Arrangement
4
3
4
3
E9
1
(Top View)
2
1
(Top View)
2
1. Anode
2. Anode
3. Cathode
4. Cathode
Rev.1.00 Apr 06, 2005 page 1 of 4

 
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