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RJK2055DPA-00-J0

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小70KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJK2055DPA-00-J0概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJK2055DPA-00-J0规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-N5
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99

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RJK2055DPA
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1735-0100
Rev.1.00
Sep 16, 2008
Features
Low on-resistance
Low drive current
High density mounting
Outline
RENESAS Package code: PWSN0008DA-A
(Package name: WPAK)
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
Source
4
Gate
5, 6, 7, 8 Drain
S S S
1 2 3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
µs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch
150°C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)Note1
I
DR
I
DR (pulse)Note1
I
APNote3
E
ARNote3
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Ratings
200
±30
20
40
20
40
9
5.4
30
4.17
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
REJ03G1735-0100 Rev.1.00 Sep 16, 2008
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