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RJK5014DPK-00

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJK5014DPK-00概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJK5014DPK-00规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)19 A
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.38 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)38 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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RJK5014DPK
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G1458-0100
Rev.1.00
Jun 06, 2006
Features
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name:TO-3P)
D
G
1. Gate
2. Drain (Flange)
3. Source
S
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Body-drain diode reverse drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
µs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch
150°C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)Note1
I
DR
I
DR (pulse)Note1
I
APNote3
E
ARNote3
Note2
Pch
θch-c
Tch
Tstg
Ratings
500
±30
19
38
19
38
5
1.3
150
0.833
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
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