电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RJK2006DPE-TL-E

产品描述Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小58KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

RJK2006DPE-TL-E概述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RJK2006DPE-TL-E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏极电流 (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.059 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
RJK2006DPJ, RJK2006DPE, RJK2006DPF
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
REJ03G0512-0100
Rev.1.00
Jan.14.2005
Features
Low on-resistance
Low leakage current
High speed switching
Outline
LDPAK
D
4
4
4
G
1
1
2
3
1
S
3
RJK2006DPE
2
3
RJK2006DPF
RJK2006DPJ
2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to Source voltage
Gate to Source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-Drain diode reverse Drain current
Body-Drain diode reverse Drain peak current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to case thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
µs,
duty cycle
1%
2. Value at Tc = 25°C
3. STch = 25°C, Tch
150°C
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (pulse)Note1
I
DR
I
DR (pulse)Note1
I
APNote3
E
ARNote3
Pch
Note2
θch-c
Tch
Tstg
Ratings
200
±30
40
100
40
100
27
48.6
100
1.25
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
Rev.1.00, Jan.14.2005, page 1 of 4
LDO与DC-DC器件的差异详解
应当可以这样理解:DCDC的意思是直流变(到)直流(不同直流电源值的转换),只要符合这个定义都可以叫DCDC转换器,包括LDO。但是一般的说法是把直流变(到)直流由开关方式实现的器件叫DCDC。   L ......
qwqwqw2088 模拟与混合信号
EVC下如何实现透明按钮?
如题~~...
xuhao5 嵌入式系统
VirtualComPortDriverSetup在那里下啊?
VirtualComPortDriverSetup在那里下啊?从来没有找到...
atghjiq stm32/stm8
★★2011年国赛【EE专家答疑&题目讨论专帖】★★
大家在参赛过程中,如遇到久久无法解决的问题,可以在以下几个讨论专帖跟帖。将会有资深工程师帮你解答! 2011年国赛【仪表类答疑&题目讨论专帖】 https://bbs.eeworld.com.cn/thread-299 ......
EEWORLD社区 电子竞赛
上传一个在学校时用51做的毕业设计(含源程序)
;******************************************************** ;使用1602_LCD AT89S52 18B20实现的温度报警,时间可调显示, ;一天可设三个闹钟,八首音乐,一个秒表, ;全汇编实现,程序差 ......
songbo 51单片机
电源
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:56 编辑 谁有电源类好的东西传上来大家共享一下。 自己先来一个,比较经典的几个保护电路。也是自己搜的转载一下 ...
dx519 电子竞赛

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 69  268  1371  1802  189  7  43  15  5  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved