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RJK1021DPE-00-J3

产品描述N-Channel Power MOSFET High-Speed Switching Use
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJK1021DPE-00-J3概述

N-Channel Power MOSFET High-Speed Switching Use

RJK1021DPE-00-J3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SC-83
包装说明SC-83, LDPAK-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)70 A
最大漏极电流 (ID)70 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)140 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

RJK1021DPE-00-J3相似产品对比

RJK1021DPE-00-J3 RJK1021DPE
描述 N-Channel Power MOSFET High-Speed Switching Use N-Channel Power MOSFET High-Speed Switching Use

 
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