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RJK0384DPA-00-J0

产品描述Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
文件大小108KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJK0384DPA-00-J0概述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

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RJK0384DPA
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode
High Speed Power Switching
REJ03G1724-0101
Preliminary
Rev.1.01
Jul 10, 2008
Features
Low on-resistance
Capable of 4.5 V gate drive
High density mounting
Pb-free
Halogen-free
Outline
WPAK
2 3 4
D1 D1 D1
9
S1/D2
5 6 7 8
1
G1
8
G2
9
S2 S2 S2
6
7
5
4 3 2 1
MOS1
MOS2 + SBD
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Ratings
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP Note 2
E
AR
Pch
Note3
Tch
Tstg
Note 2
MOS1
30
±20
15
60
15
11
12.1
10
150
–55 to +150
MOS2
30
±20
42
168
42
18
32.4
25
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
Notes: 1. PW
10
µs,
duty cycle
1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg
50
3. Tc=25°C
REJ03G1724-0101 Rev.1.01 Jul 10, 2008
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