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RJK0371DSP-00-J0

产品描述Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJK0371DSP-00-J0概述

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

RJK0371DSP-00-J0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.027 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)64 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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RJK0371DSP
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G1663-0201
Rev.2.01
Apr 24, 2008
Features
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R
DS(on)
= 14 m
typ. (at V
GS
= 10 V)
Pb-free
Outline
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D
(Package name: SOP-8<FP-8DAV>)
87
65
5 6 7 8
D D D D
3
12
4
4
G
1, 2, 3
Source
4
Gate
5, 6, 7, 8 Drain
S S S
1 2 3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel to ambient thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
Note1
Ratings
30
±20
8
64
8
7
4.9
1.8
69.4
150
–55 to +150
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C/W
°C
°C
I
AP Note 2
E
AR Note 2
Pch
Note3
θch-a
Note3
Tch
Tstg
Notes: 1. PW
10
µs,
duty cycle
1%
2. Value at Tch = 25°C, Rg
50
3. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW
10s
REJ03G1663-0201 Rev.2.01 Apr 24, 2008
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RJK0371DSP-00-J0相似产品对比

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描述 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

 
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