电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RJP4003ASA-0-Q0

产品描述Nch IGBT for Strobe Flash
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小128KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

RJP4003ASA-0-Q0概述

Nch IGBT for Strobe Flash

RJP4003ASA-0-Q0规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码TSSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值1.5 V
门极-发射极最大电压6 V
JESD-30 代码R-PDSO-G8
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON

文档预览

下载PDF文档
RJP4003ASA
Nch IGBT for Strobe Flash
REJ03G1475-0100
Rev.1.00
Oct 13, 2006
Features
Small surface mount package (TSSOP-8)
V
CES
: 400 V
I
CM
: 150 A
Drive voltage : 4 V
Outline
RENESAS Package code: PTSP0008JB-B
(Package name: TSSOP-8 <TTP-8DV>)
5
8
4
1
4
3
2
1
1, 2, 3, 4 : Collector
5, 6, 7 : Emitter
8 : Gate
5
6
7
8
Applications
Strobe flash for cameras
Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Peak gate-emitter voltage
Collector current (Pulse)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CES
V
GES
V
GEM
I
CM
Tj
Tstg
Ratings
400
±6
±8
150
– 40 to +150
– 40 to +150
Unit
V
V
V
A
°C
°C
Conditions
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V
V
CE
= 0 V, tw = 10 s
C
M
= 400
µF
(see performance curve)
Rev.1.00
Oct 13, 2006
page 1 of 4

RJP4003ASA-0-Q0相似产品对比

RJP4003ASA-0-Q0 RJP4003ASA
描述 Nch IGBT for Strobe Flash Nch IGBT for Strobe Flash

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2682  1345  1093  1161  2099  53  54  58  34  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved