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RJP4002ANS

产品描述400 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小78KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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RJP4002ANS概述

400 V, N-CHANNEL IGBT

400 V, N沟道 IGBT

RJP4002ANS规格参数

参数名称属性值
端子数量8
最大集电极发射极电压400 V
加工封装描述3 X 4.40, 0.65 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, PLASTIC, VSON-8
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量1
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR

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RJP4002ANS
Nch IGBT for Strobe Flash
REJ03G1472-0100
Rev.1.00
Oct 13, 2006
Features
Ultra small surface mount package (VSON-8)
V
CES
: 400 V
I
CM
: 150 A
Drive voltage: 2.5 V
Outline
RENESAS Package code: PVSN0008JA-A
(Package name: VSON-8<TNP-8DBV>)
5
8
4
1
1
2
3
4
8
7
6
5
Emitter
Emitter
(for the gate drive)
4:
Gate
5, 6, 7, 8 : Collector
1, 2 :
3:
Note:
Pin 3 is for the gate drive only.
Note that current from the main circuit cannot flow into this section. (Please see page 3)
Applications
Strobe flash for cameras
Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Parameter
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Peak gate-emitter voltage
Collector current (Pulse)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CES
V
GES
V
GEM
I
CM
Tj
Tstg
Ratings
400
±4
±6
150
– 40 to +150
– 40 to +150
Unit
V
V
V
A
°C
°C
Conditions
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V
V
CE
= 0 V, tw = 10 s
C
M
= 400
µF
(see performance curve)
Rev.1.00
Oct 13, 2006
page 1 of 4

RJP4002ANS相似产品对比

RJP4002ANS RJP4002ANS-00-Q1
描述 400 V, N-CHANNEL IGBT 400 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 8 8
表面贴装 Yes YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
元件数量 1 1
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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