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2SJ540

产品描述Silicon P Channel MOS FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共8页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SJ540概述

Silicon P Channel MOS FET

2SJ540规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220AB, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.23 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SJ540相似产品对比

2SJ540 2SJ540-E
描述 Silicon P Channel MOS FET Silicon P Channel MOS FET
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 TO-220AB, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 4
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 12 A
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A
最大漏源导通电阻 0.23 Ω 0.23 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e2
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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