2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2000 mA, 60 V, P沟道, 硅, 小信号, 场效应管
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Renesas |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | UPAK |
| 包装说明 | SC-62, UPAK -3 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | PLZZ0004CA-A4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.63 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码 | e6 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN BISMUTH |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SJ518AZTR-E | 2SJ518 | 2SJ518AZTL-E | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 包装说明 | SC-62, UPAK -3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数 | 4 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A | 2 A | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 2 A | 2 A | 2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.63 Ω | 0.63 Ω | 0.63 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 | R-PSSO-F3 | R-PSSO-F3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 零件包装代码 | UPAK | - | SC-62 |
| JESD-609代码 | e6 | - | e6 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 |
| 端子面层 | TIN BISMUTH | - | TIN BISMUTH |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | - | NOT SPECIFIED |
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