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2SJ517: 产品描述Silicon P Channel MOS FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小72KB，共7页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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2SJ517概述

Silicon P Channel MOS FET

2SJ517规格参数

参数名称	属性值
包装说明	UPAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2 A
最大漏极电流 (ID)	2 A
最大漏源导通电阻	0.43 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2SJ517相似产品对比

	2SJ517	2SJ517YYTL-E	2SJ517YYTR-E
描述	Silicon P Channel MOS FET	Silicon P Channel MOS FET	Silicon P Channel MOS FET
包装说明	UPAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3	4	4
Reach Compliance Code	compli	compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2 A	2 A	2 A
最大漏极电流 (ID)	2 A	2 A	2 A
最大漏源导通电阻	0.43 Ω	0.43 Ω	0.43 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1 W	1 W	1 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1
Brand Name	-	Renesas	Renesas
是否Rohs认证	-	符合	符合
零件包装代码	-	UPAK	UPAK
制造商包装代码	-	PLZZ0004CA-A4	PLZZ0004CA-A4
湿度敏感等级	-	1	1
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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