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2SK1934-E: 产品描述Silicon N Channel MOS FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小75KB，共7页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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2SK1934-E概述

Silicon N Channel MOS FET

2SK1934-E规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Renesas
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-3P
包装说明	SC-65, TO-3P, 3 PIN
针数	4
制造商包装代码	PRSS0004ZE-A4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	1.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e2
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	24 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2SK1934-E相似产品对比

	2SK1934-E	2SK1301	2SK1328	2SK1329	2SK1934	2SK1301-E	GRM219R61A225KA01J	S6272
描述	Silicon N Channel MOS FET	Silicon N Channel MOS FET	Silicon N Channel MOS FET	Silicon N Channel MOS FET	Silicon N Channel MOS FET	Silicon N Channel MOS FET	Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose	18 watt; Mini Spiral Compact Fluorescent; 4100K; 82 CRI; Medium base; 120 volts; 3-pack
是否无铅	不含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	不含铅	-	-
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	不符合	不符合	符合	-	-
零件包装代码	TO-3P	TO-220AB	TO-3PFM	TO-3PFM	TO-3P	TO-220AB	-	-
包装说明	SC-65, TO-3P, 3 PIN	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-	-
针数	4	3	3	3	3	3	-	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compliant	compliant	unknow	compli	-	-
外壳连接	DRAIN	DRAIN	ISOLATED	ISOLATED	DRAIN	DRAIN	-	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-
最小漏源击穿电压	1000 V	100 V	450 V	500 V	1000 V	100 V	-	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8 A	15 A	12 A	12 A	8 A	15 A	-	-
最大漏极电流 (ID)	8 A	15 A	12 A	12 A	8 A	15 A	-	-
最大漏源导通电阻	1.6 Ω	0.18 Ω	0.55 Ω	0.6 Ω	1.6 Ω	0.18 Ω	-	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-	-
JESD-609代码	e2	e0	e0	e0	e0	e2	-	-
元件数量	1	1	1	1	1	1	-	-
端子数量	3	3	3	3	3	3	-	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	-
最大功率耗散 (Abs)	150 W	50 W	60 W	60 W	150 W	50 W	-	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	24 A	60 A	48 A	48 A	24 A	60 A	-	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-	-
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN COPPER	-	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-

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