Silicon P Channel MOS FET
参数名称 | 属性值 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
表面贴装 | YES |
Base Number Matches | 1 |
2SJ244 | 2SJ244JYTL-E | 2SJ244JYTR-E | |
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描述 | Silicon P Channel MOS FET | Silicon P Channel MOS FET | Silicon P Channel MOS FET |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compli | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
配置 | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A | 2 A | 2 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W | 1 W |
表面贴装 | YES | YES | YES |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
是否Rohs认证 | - | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | - | SC-62 | SC-62 |
包装说明 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
外壳连接 | - | DRAIN | DRAIN |
最小漏源击穿电压 | - | 12 V | 12 V |
最大漏极电流 (ID) | - | 2 A | 2 A |
最大漏源导通电阻 | - | 0.9 Ω | 0.9 Ω |
JESD-30 代码 | - | R-PSSO-F3 | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码 | - | e6 | e6 |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
元件数量 | - | 1 | 1 |
端子数量 | - | 3 | 3 |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
端子面层 | - | TIN BISMUTH | TIN BISMUTH |
端子形式 | - | FLAT | FLAT |
端子位置 | - | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | - | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | - | SILICON | SILICON |
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